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美國EOS檢測器組件
美國EOS檢測器組件
EOS于1991年在加利福尼亞成立，由電力電子領域的幾個先驅者成立。EOS是一家具有交匙設計，制造，銷售和支持運營的產品公司。該公司是電源制造商和出口商，并為其客戶提供完整的VAM，ODM和支持和維修服務。EOS品牌的電源已經向**客戶銷售了超過4000萬臺。EOS POWER現在已成為許多**醫療，工業和質量意識客戶的電源合作伙伴。
EOS檢測器組件產品線由各種不同起始材料的光電二*管和光電導體組成，可從業內一個來源中進行廣泛的選擇。EOS在大多數探測器類型中提供幾種標準尺寸，并為非標準要求提供定制設計服務。如果您的應用需要技術支持，請咨詢工廠。
產品通常可以分為三個波長區域，再加上一個特殊類別，其中包括位置傳感器，2色檢測器和象限。
UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，鍺和硅光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。
近紅外 包括InAs和InSb光電二*管，以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。
LWIR 包括HgCdTe光電導體以及專用的熱釋電和熱電堆檢測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。
產品范圍：紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近紅外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探測器,近紅外位置傳感器,2色檢測器
紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米
此類別中的組件是硅，鍺，InGaAs，InGaAs擴展型和光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。這些檢測器在室溫下或與TE-Cooler一起運行，并以各種TO型包裝提供。提供幾種標準直徑以及特殊設備，例如Si和InGaAs象限，2色檢測器，多元素檢測器和PSD。
近紅外-MWIR 1.0-5.5微米
此類探測器包括InAs和InSb光電二*管以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。根據靈敏度要求，使用室溫，TE冷卻和低溫封裝。提供各種標準尺寸和定制尺寸。
LWIR2-40微米
EOS于1991年在加利福尼亞成立，由電力電子領域的幾個先驅者成立。EOS是一家具有交匙設計，制造，銷售和支持運營的產品公司。該公司是電源制造商和出口商，并為其客戶提供完整的VAM，ODM和支持和維修服務。EOS品牌的電源已經向**客戶銷售了超過4000萬臺。EOS POWER現在已成為許多**醫療，工業和質量意識客戶的電源合作伙伴。
EOS檢測器組件產品線由各種不同起始材料的光電二*管和光電導體組成，可從業內一個來源中進行廣泛的選擇。EOS在大多數探測器類型中提供幾種標準尺寸，并為非標準要求提供定制設計服務。如果您的應用需要技術支持，請咨詢工廠。
產品通常可以分為三個波長區域，再加上一個特殊類別，其中包括位置傳感器，2色檢測器和象限。
UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，鍺和硅光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。
近紅外 包括InAs和InSb光電二*管，以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。
LWIR 包括HgCdTe光電導體以及專用的熱釋電和熱電堆檢測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。
產品范圍：紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近紅外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探測器,近紅外位置傳感器,2色檢測器
紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米
此類別中的組件是硅，鍺，InGaAs，InGaAs擴展型和光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。這些檢測器在室溫下或與TE-Cooler一起運行，并以各種TO型包裝提供。提供幾種標準直徑以及特殊設備，例如Si和InGaAs象限，2色檢測器，多元素檢測器和PSD。
近紅外-MWIR 1.0-5.5微米
此類探測器包括InAs和InSb光電二*管以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。根據靈敏度要求，使用室溫，TE冷卻和低溫封裝。提供各種標準尺寸和定制尺寸。
LWIR2-40微米
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